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电子元器件详细资料 » IC[20317] » IPB60R199CP
型号:IPB60R199CP类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 650V 16A TO-263
系列CoolMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)650V
电流_连续漏极(Id)0a025000C16A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C199 毫欧 @ 9.9A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223.5V @ 1.1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs43nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1520pF @ 100V
功率_最大139W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3
包装带卷 (TR)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳和润天下电子科技有限公司张小姐0755-83798683
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
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